| 发明名称 | 电子式熔线结构 | ||
| 摘要 | 本发明是揭露一种电子式熔线结构。此结构借由多晶硅层上的硅化层形成，其以一第一介电材料部分区隔电子式熔线与半导体基底，且以第二介电材料部分区隔电子式熔线与在熔线正上方的至少一导体。多晶硅层具有不大于约2500埃的厚度与不大于0.14微米的宽度，而第二介电材料部分实质上是含有低介电材料。 | ||
| 申请公布号 | CN100375282C | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200510075795.3 | 申请日期 | 2005.06.07 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 庄建祥;罗吉进 |
| 分类号 | H01L23/62(2006.01);H01L23/525(2006.01) | 主分类号 | H01L23/62(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种电子式熔线结构，所述电子式熔线结构包括：借一多晶硅层上的一硅化层形成的一电子式熔线；存在于半导体基底与该电子式熔线之间以隔绝两者的一第一介电层部分；以及存在于该熔线正上方至少一电子导体与该电子式熔线之间以隔绝两者的一第二介电层部分；其中该多晶硅层具有不大于2500埃的厚度及不大于0.14微米的宽度，且该第二介电层部分含有低介电材料。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||