| 发明名称 | 接触塞的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种接触塞的制造方法，包括：提供一具有多个栅极的半导体基板，在所述半导体基板中形成有源极和漏极；在所述栅极之间及上部形成多晶硅层；图案化并刻蚀所述多晶硅层在所述源极和栅极上方形成多晶硅插塞；在所述具有多晶硅插塞的半导体基板上形成绝缘层；平坦化所述绝缘层并使所述多晶硅插塞顶部露出；刻蚀去除所述多晶硅插塞；在所述源极上方填充导电物质。该方法能够避免现有接触塞制造过程中形成绝缘层时出现空洞、刻蚀形成接触孔时在栅极上形成顶部缺陷和栅极之间间隙底部的绝缘层材料刻蚀不完全的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101140897A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200610030798.X | 申请日期 | 2006.09.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 郭得亮 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种接触塞的制造方法，包括：提供一具有复数个栅极的半导体基板，在所述半导体基板中形成有源极和漏极；在所述复数个栅极之间及上部形成多晶硅层；图案化并刻蚀所述多晶硅层，在所述源极和栅极上方形成多晶硅插塞；在所述具有多晶硅插塞的半导体基板上形成绝缘层；平坦化所述绝缘层并使所述多晶硅插塞顶部露出；刻蚀去除所述多晶硅插塞；在所述源极上方填充导电物质。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||