| 发明名称 | 金属氧化物半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种金属氧化物半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成电介质层；在所述电介质层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成硬掩膜层并图案化所述硬掩膜层；利用所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述多晶硅层以形成栅极；在所述栅极表面形成保护层；利用干刻蚀法刻蚀所述保护层；移除所述硬掩膜层。本发明在所述栅极的侧壁形成侧壁保护层，该保护层起到了隔离腐蚀液与栅极的作用，从而避免了瓶颈现象的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN101140869A | 申请公布日期 | 2008.03.12 |
| 申请号 | CN200610030792.2 | 申请日期 | 2006.09.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;刘乒;马擎天 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种金属氧化物半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成电介质层；在所述电介质层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成硬掩膜层并图案化所述硬掩膜层；利用所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述多晶硅层以形成栅极；在所述栅极表面形成保护层；利用干刻蚀法刻蚀所述保护层；移除所述硬掩膜层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||