发明名称 |
一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统 |
摘要 |
本发明公开了一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统,该系统包括:配气单元,用于为测试气体传感器气敏性能提供可控浓度且均匀混合的测试用气体,并在对气体传感器气敏性能测试完成后排出测试用气体;加热单元,用于控制测试温度,满足对气体传感器或半导体器件性能进行测试的不同温度条件需要;测试单元,用于测试在不同温度和不同浓度测试用气体下气体传感器或半导体器件电流电压特性的变化,实现对气体传感器或半导体器件性能进行的测试。利用本发明,实现了在高温下对气体传感器的气敏性能和半导体器件的电学性能进行测试,满足了对气体传感器和半导体器件研究测试的需要。 |
申请公布号 |
CN101140252A |
申请公布日期 |
2008.03.12 |
申请号 |
CN200610112883.0 |
申请日期 |
2006.09.06 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
王晓亮;王新华;冯春;王保柱;马志勇;王军喜;胡国新;肖红领;冉军学;王梅 |
分类号 |
G01N27/00(2006.01);G01N1/38(2006.01);H05B3/20(2006.01);H05B1/00(2006.01) |
主分类号 |
G01N27/00(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
1.一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统,其特征在于,该系统包括:配气单元,用于为测试气体传感器气敏性能提供可控浓度且均匀混合的测试用气体,并在对气体传感器气敏性能测试完成后排出测试用气体;加热单元,用于控制测试温度,满足对气体传感器或半导体器件性能进行测试的不同温度条件需要;测试单元,用于测试在不同温度和不同浓度测试用气体下气体传感器或半导体器件电流电压特性的变化,实现对气体传感器或半导体器件性能进行的测试。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |