发明名称 负型光阻组成物与光阻图型之形成方法
摘要 本发明为提供一种可形成高感度与高解析性(high-resolution)光阻图型之光阻组成物与光阻图型之形成方法。该负型光阻组成物为含有(A)硷可溶性之基材成份与、(B)经由曝光产生酸之酸产生剂成份,与(C)交联剂之负型光阻组成物,其特征为,前述基材成份(A)为含有,下述式(I)所示之具有2个以上酚性羟基,且分子量为300至2500之多元酚化合物(A1)。
申请公布号 TWI294557 申请公布日期 2008.03.11
申请号 TW095103164 申请日期 2006.01.26
申请人 东京应化工业股份有限公司 发明人 广崎贵子;平山拓;盐野大寿
分类号 G03F7/038(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 G03F7/038(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种负型光阻组成物,其为含有(A)硷可溶性之基 材成份,与(B)经由曝光产生酸之酸产生剂成份,与(C )交联剂成份之负型光阻组成物,其中,(B)成份之含 量,对(A)成份100质量份为使用0.5至30质量份,(C)成份 之添加量,对(A)成份100质量份为使用3至30质量份, 其特征为,前述基材成份(A)为含有下述式(I)所示, 具有2个以上酚性羟基,分子量为300至2500之多元酚 化合物(A1), [式(I)中,R11至R17为分别独立之碳数1至10之烷基或 芳香族烃基,其结构中可含有杂原子;g、j为分别独 立之1以上之整数,k、q为0或1以上之整数,且g+j+k+q 为5以下,h为1以上之整数,1、m为分别独立之0或1以 上之整数,且h+1+m为4以下,i为1以上之整数,n、o为分 别独立之0或1以上之整数,且i+n+o为4以下,p为0或1,X 为下述式(Ia)或(Ib)所示之基] [式(Ia)中,R18、R19为分别独立之碳数1至10之烷基或 芳香族烃基,其结构中可含有杂原子;r、y、z为分 别独立之0或1以上之整数,且r+y+z为4以下]。 2.如申请专利范围第1项之负型光阻组成物,其尚含 有(D)含氮有机化合物。 3.一种光阻图型之形成方法,其特征为包含使申请 专利范围第1或2项之负型光阻组成物于基板上形 成光阻膜之步骤,使前述光阻膜曝光之步骤,使前 述光阻膜显影以形成光阻图型之步骤。
地址 日本