| 主权项 |
1.一种覆晶式氮化物半导体发光装置,包括: p-型与n-型半导体层; 形成于该p-型与n-型半导体层间之主动层; 形成于该p-型氮化物半导体层上之欧姆接触层; 形成于该欧姆接触层上之透光导电氧化物层; 形成于该透光导电氧化物层上之高反射金属层;以 及 形成于该透光导电氧化物层与该高反射金属层间 之扩散阻止层, 其中,该高反射金属层系由选自包括铝、银、及其 合金组成之群中之其中至少一者所制成,而该扩散 阻止层系由选自铜、钼(Mo)、钒(V)、钨(W)、及其合 金组成之群中之材料所制成,且该合金可包括钛- 钨(Ti-W)。 2.如申请专利范围第1项之覆晶式氮化物半导体发 光装置,其中,该欧姆接触层包括含有选自铜(Cu)、 锌(Zn)、及镁(Mg)组成之群中之其中至少一者之三 氧化二铟(In2O3)层。 3.如申请专利范围第2项之覆晶式氮化物半导体发 光装置,其中,该欧姆接触层具有约5至500埃之厚度 。 4.如申请专利范围第1项之覆晶式氮化物半导体发 光装置,其中,该欧姆接触层系由选自镍化锰(MnNi) 、五镍化镧(LaNi5)、镍化锌(ZnNi)、镍化镁(MgNi)、及 镁化锌(ZnMg)组成之群中之合金所制成。 5.如申请专利范围第4项之覆晶式氮化物半导体发 光装置,其中,该欧姆接触层具有约5至500埃之厚度 。 6.如申请专利范围第1项之覆晶式氮化物半导体发 光装置,其中,该欧姆接触层系由选自铑、钌(Ru)、 铂、钯(Pd)、铱(Ir)、镍、钴、以及其合金组成之 群中之其中至少一者所制成。 7.如申请专利范围第6项之覆晶式氮化物半导体发 光装置,其中,该欧姆接触层具有约5至500埃之厚度 。 8.如申请专利范围第1项之覆晶式氮化物半导体发 光装置,其中,该透光导电氧化物层系由选自氧化 铟锡(Indium Tin Oxide;ITO)、氧化锌(ZnO)、及氧化镁(MgO )组成之群中之其中至少一者来构成。 9.如申请专利范围第8项之覆晶式氮化物半导体发 光装置,其中,该透光导电氧化物层具有约0.1至1m 之厚度。 10.如申请专利范围第1项之覆晶式氮化物半导体发 光装置,其中,该高反射金属层具有至少0.1m之厚 度。 11.如申请专利范围第1项之覆晶式氮化物半导体发 光装置,其中,该欧姆接触层包括含有铜之三氧化 二铟层,且该透光导电氧化物层包括ITO层。 12.如申请专利范围第11项之覆晶式氮化物半导体 发光装置,其中,该高反射金属层系由铝所制成。 13.如申请专利范围第1项之覆晶式氮化物半导体发 光装置,其中,该扩散阻止层具有约10至10000埃之厚 度。 14.如申请专利范围第1项之覆晶式氮化物半导体发 光装置,复包括于该高反射金属层上之由钨或其合 金制成之冲撞缓冲层。 图式简单说明: 第1图为显示根据本发明一实施例之覆晶式氮化物 半导体发光装置之剖面图; 第2图(a)为显示根据本发明另一实施例之覆晶式氮 化物半导体发光装置之剖面图,而 第2图(b)为显示将第2图(a)所示之覆晶式氮化物半 导体发光装置晶粒接着(die-bonding)至封装基板之示 意图; 第3图为显示每一个波长范围之反射率之示意图, 以说明因采用透光导电氧化物层而改善反射效果; 第4图为显示本发明中能采用之每一层之材料之接 触电阻之示意图;以及 第5图为显示传统之欧姆接触结构(传统范例)之反 射率与根据本发明(发明范例1至3)之反射欧姆接触 结构之反射率之对比示意图。 |
