| 主权项 |
1.一种薄膜半导体装置之制造方法,是属于具备有: 依照第1半导体膜、闸极绝缘膜及闸极电极之顺序 ,自基板侧起叠层的薄膜电晶体;和依照导电化与 上述第1半导体膜同层之第2半导体膜而所构成之 下电极,与上述闸极绝缘膜同层之介电质膜及与上 述闸极电极同层之上电极之顺序,自上述基板侧起 叠层之电容元件的薄膜半导体装置之制造方法,其 特征为: 于同时形成上述闸极绝缘膜及上述介电质膜之后, 于形成上述闸极电极及上述上电极之前,执行自形 成在上述基板表面侧上之罩幕之第1开口导入杂质 至上述第2半导体膜而形成上述下电极之下电极形 成用杂质导入工程;和 自上述罩幕之上述第1开口蚀刻上述介电质膜之表 面的介电质膜蚀刻工程。 2.如申请专利范围第1项所记载之薄膜半导体装置 之制造方法,其中,上述罩幕是在上述薄膜电晶体 中,与上述杂质相同导电性之薄膜电晶体之上述第 1半导体膜上,形成用以形成源极、汲极区域之一 部分或全部的第2开口, 上述下电极形成用杂质导入工程是自上述第1开口 及上述第2开口导入杂质至上述第2半导体膜及上 述第1半导体膜, 上述介电质膜蚀刻工程是自上述第1开口及上述第 2开口蚀刻上述介电质膜之表面及上述闸极绝缘膜 之表面。 3.如申请专利范围第2项所记载之薄膜半导体装置 之制造方法,其中,上述源极、汲极区域是具备有 在上述闸极电极自动对位性地被形成的低浓度源 极、汲极区域,和邻接于该低浓度源极、汲极区域 的高浓度源极、汲极, 上述第2开口是被形成在应形成上述高浓度源极、 汲极区域的区域上。 4.如申请专利范围第1项至第3项中之任一项所记载 之薄膜半导体装置之制造方法,其中,上述介电质 膜蚀刻工程是在上述下电极形成用杂质导入工程 后,使用可蚀刻除去上述介电质膜及上述罩幕之蚀 刻液而所执行。 5.一种薄膜半导体装置,其特征为:以申请专利范围 第1项至第4项中之任一项所规定之方法所制造出 。 6.一种薄膜半导体装置,是属于具备有:依照第1半 导体膜、闸极绝缘膜及闸极电极之顺序,自基板侧 起叠层的薄膜电晶体;和依照导电化与上述第1半 导体膜同层之第2半导体膜而所构成之下电极,与 上述闸极绝缘膜同层之介电质膜及与上述闸极电 极同层之上电极之顺序,自上述基板侧起叠层之电 容元件的薄膜半导体装置,其特征为: 在上述介电质膜上形成有使该介电质膜之膜厚比 上述闸极绝缘膜之膜厚薄的第1凹部, 上述第2半导体膜是在与上述第1凹部平面性重叠 之区域上导入杂质而形成上述下电极。 7.如申请专利范围第6项所记载之薄膜半导体装置, 其中,上述薄膜晶体中,与上述杂质相同导电型之 薄膜电晶体,对于闸极绝缘膜,是形成有使与源极 、汲极区域之一部分或全部平面性重叠之区域的 该闸极绝缘膜之膜厚,比与上述闸极电极平面性重 叠之区域的上述闸极绝缘膜之膜厚薄之第2凹部。 8.如申请专利范围第7项所记载之薄膜半导体装置, 其中,上述源极、汲极区域是具备有在上述闸极电 极自动对位性地被形成的低浓度源极、汲极区域, 和邻接于该低浓度源极、汲极区域的高浓度源极 、汲极, 上述第2凹部是被形成在与上述高浓度源极、汲极 区域平面性重叠之区域上。 9.一种光电装置,是属于将申请专利范围第5项至第 8项中之任一项所规定之薄膜半导体装置当作光电 装置用基板使用的光电装置,其特征为:在上述光 电装置用基板上保持有光电物质。 10.如申请专利范围第9项所记载之光电装置,其中, 上述光电物质是被保持在上述光电装置用基板和 与该光电装置用基板相向配置之对向基板之间的 液晶, 上述薄膜电晶体及上述电容元件是被构成配置成 矩阵状之多数画素的各个。 11.如申请专利范围第9项所记载之光电装置,其中, 上述光电物质是被构成在上述光电装置用基板上 之有机激光发光材料, 上述薄膜电晶体及上述电容元件是被构成配置成 矩阵状之多数画素的各个。 12.一种电子机器,其特征为:使用申请专利范围第9 项至第11项中之任一项所规定之光电装置。 图式简单说明: 第1图(A)、(B)为由对向基板侧观看本发明之实施形 态1所涉及之液晶装置和被形成在该上方之各构成 要素的平面图,及包含对向基板所示之第1图(A)的H- H'截面图。 第2图是表示液晶装置之电性构成的方块图。 第3图是第1图所示之液晶装置之TFT阵列基板中,相 邻接之画素的平面图。 第4图是相当于第3图之A-A'线之位置的截面图。 第5图是表示在第1图所示之液晶装置中构成周边 电路之TFT之构成的截面图。 第6图(A)至(D)是表示本发明之实施形态1所涉及之 TFT阵列基板之制造方法的工程截面图,表示从透明 基板上的基底保护膜及半导体膜形成工程至介电 质膜蚀刻工程之图式。 第7图(A)至(E)是表示本发明之实施形态1所涉及之 TFT阵列基板之制造方法的工程截面图,表示从导电 膜及导电膜用光阻罩幕形成工程至高浓度P通道型 之杂质离子注入工程之图式。 第8图是在相当于第3图之A-A'线的位置上切断本发 明之实施形态2所涉及之液晶装置之TFT阵列基板的 截面图。 第9图是表示在第8图所示之液晶装置中构成周边 电路之TFT之构成的截面图。 第10图(A)至(D)是表示本发明之实施形态2所涉及之 TFT阵列基板之制造方法的工程截面图,表示从透明 基板上的基底保护膜及半导体膜形成工程至介电 质膜蚀刻工程之图式。 第11图(A)至(D)是表示本发明之实施形态2所涉及之 TFT阵列基板之制造方法的工程截面图,表示从导电 膜及导电膜用光阻罩幕形成工程至高浓度P通道型 之杂质离子注入工程之图式。 第12图是表示有机EL显示装置之电性构成的方块图 。 第13图(A)、(B)各表示使用本发明之光电装置之携 带型个人电脑的说明图,及行动电话的说明图。 |
