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Beschrieben sind Verfahren zum Herstellen von Solarzellen-Emitterregionen unter Verwendung selbstausrichtender Implantate und Deckschichten sowie die sich ergebenden Solarzellen. Bei einem Beispiel umfasst ein Verfahren zum Herstellen einer Emitterregion einer Solarzelle das Bilden einer Siliciumschicht über einem Substrat. Das Verfahren umfasst auch das Implantieren von Dotiermittel-Verunreinigungs-Atomen durch eine Stencil-Maske in die Siliciumschicht, um implantierte Regionen der Siliciumschicht mit benachbarten nicht-implantierten Regionen zu bilden. Das Verfahren umfasst auch – durch die Stencil-Maske – das Bilden einer Deckschicht auf den implantierten Regionen der Siliciumschicht und im Wesentlichen darauf ausgerichtet. Das Verfahren umfasst auch das Entfernen der nicht-implantierten Regionen der Siliciumschicht, wobei die Deckschicht die implantierten Regionen der Siliciumschicht während des Entfernens schützt. Das Verfahren umfasst auch das Tempern der implantierten Regionen der Siliciumschicht, um dotierte polykristalline Silicium-Emitterregionen zu bilden. |
