Vertikal integrierter Feldeffekttransistor, Feldeffekttransistor-Anordnung und Verfahren zum Herstellen eines vertikal integrierten Feldeffekttransistors
摘要
申请公布号
DE10250868(B4)
申请公布日期
2008.03.06
申请号
DE20021050868
申请日期
2002.10.31
申请人
QIMONDA AG
发明人
HOENLEIN, WOLFGANG;KREUPL, FRANZ;GRAHAM, ANDREW;SPECHT, MICHAEL;HOFMANN, FRANZ;KRETZ, JOHANNES;LANDGRAF, ERHARD;LUYKEN, JOHANNES R.;ROESNER, WOLFGANG;SCHULZ, THOMAS
