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Die Erfindung betrifft ein Filtersystem für eine Lichtquelle in einem Lithographieverfahren für die Erzeugung von Halbleitergeräten mit einem fließenden Absorbergas für mindestens eine Wellenlänge (lambda) im Bereich zwischen 20 und 250 nm, wobei das fließende Absorbergas den Lichtweg kreuzt, der von der Lichtquelle ausgesendet ist. Ferner betrifft die Erfindung eine Lithographievorrichtung zum Verarbeiten von Halbleitersubstraten, die Benutzung eines Filtersystems, ein Verfahren zum Filtern von Licht und ein Halbleitergerät, das durch das Verfahren gefertigt ist.
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