| 发明名称 | 含有全氟醚酰基低聚噻吩化合物的半导体 | ||
| 摘要 | 本发明描述了半导体器件，其包括含有全氟醚酰基低聚噻吩化合物、优选α，ω－双－全氟醚酰基低聚噻吩化合物的半导体层。此外，描述了制造半导体器件的方法，包括沉积包括含有全氟醚酰基低聚噻吩化合物、优选α，ω－双(2－全氟醚酰基)低聚噻吩化合物的半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN101137693A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200680007702.6 | 申请日期 | 2006.02.23 |
| 申请人 | 3M创新有限公司 | 发明人 | 克里斯托弗·P·格拉赫;戴维·A·恩代尔;丹尼斯·E·沃格尔 |
| 分类号 | C08G61/12(2006.01);C07D333/28(2006.01);C07D333/22(2006.01);H01L51/00(2006.01) | 主分类号 | C08G61/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 郭国清;樊卫民 |
| 主权项 | 1.一种下式的化合物：其中Y是氢原子、卤素原子、烷基和芳基或全氟醚酰基，p至少是1，Rf是全氟醚基团。 | ||
| 地址 | 美国明尼苏达州 | ||