快闪存储器件的制造方法

摘要

揭露了使用STI工艺制造快闪存储器件的方法。通过斜向离子注入工艺和湿蚀刻工艺，突出结构的隔离膜变为突头结构的隔离膜。通过CMP工艺和回蚀刻工艺两个步骤去除多晶硅层，直至暴露隔离膜的顶部，由此形成浮置栅以及单元的高电压与低电压晶体管的栅极。如此，因为突头结构的隔离膜与浮置栅同时形成，可确保有源区和浮置栅之间的覆盖余量而与快闪存储器件的缩小无关。而且，当形成突头结构的隔离膜时，可避免在有源区之间的边界处产生沟。此外，当形成浮置栅以及高电压与低电压晶体管的栅极时，可避免碟形凹陷现象和腐蚀现象。

主权项

1.一种快闪存储器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底中形成突出结构的隔离膜；执行斜向离子注入工艺以在包括所述突出结构的隔离膜的整个结构上形成离子注入层；去除所述离子注入层以使所述突出结构的隔离膜转变为突头结构的隔离膜；执行氧化工艺以形成隧道氧化膜；在所述突头结构的隔离膜之间形成隔离形式的浮置栅；其中所述浮置栅通过以下步骤形成：形成多晶硅层从而填充所述突头结构的隔离膜之间的间隔；执行化学机械抛光工艺以抛光所述多晶硅层；以及执行回蚀刻工艺以蚀刻所述抛光的多晶硅层，直至暴露所述突头结构的隔离膜的顶部。