| 发明名称 | 含有铜特异的防腐剂、用于清洗半导体衬底上的无机残余物的水性清洗组合物 | ||
| 摘要 | 半导体晶片清洗剂，含有1－21重量％氟化物源，20－55重量％有机胺，0.5－40重量％含氮成分如含氮羧酸或亚胺，23－50重量％水，以及0－21重量％金属螯合剂。该清洗剂用于从抗蚀剂的等离子体灰化步骤后的晶片上除去残余物，例如从含有精细的铜互连结构的半导体晶片上除去无机残余物。 | ||
| 申请公布号 | CN101134930A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200710147183.X | 申请日期 | 2002.03.27 |
| 申请人 | 高级技术材料公司 | 发明人 | 威廉·A·沃伊特恰克;戴维·伯恩哈德;法蒂玛·Ma·塞约;朗·源 |
| 分类号 | C11D7/32(2006.01);C09K13/06(2006.01);C23F1/18(2006.01) | 主分类号 | C11D7/32(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 杨青;樊卫民 |
| 主权项 | 1.一种半导体晶片清洗剂，包括(i)氟化物源，(ii)至少一种有机胺，(iii)含氮羧酸或亚胺，(iv)水，和任选至少一种金属螯合剂。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||