半导体存储装置及半导体集成电路装置

摘要

一种半导体存储装置，在用存取Tr(103)及单元电容器(104)构成的DRAM存储单元中，存取Tr(103)及单元电容器(104)使用耗尽型MOSFET；与过去相比，可扩大动作余量，需要的电源数亦可比过去减少。从而可提供一种电源电压即使低电压化亦可动作，可用简单构成实现，且容易用逻辑加工形成的半导体存储装置。

主权项

1.一种半导体存储装置，包括：字线；与所述字线交叉的第1位线；与所述第1位线形成位线对的第2位线；具有：栅电极连接在所述字线上、第1扩散层连接在所述第1位线上的MISFET的存取晶体管；和连接在所述存取晶体管的第2扩散层上、可保持电荷的单元电容器，且配置在所述字线与所述第1位线的交点的存储单元；读出动作时，用于放大在所述第1位线与所述第2位线间产生的电位差的读出放大器；以及在所述存储单元为非活性状态的期间，向位线施加一定电压的预充电补偿电路，所述第1位线，在高电平时被施加正的电源电压，在低电平时被施加所述接地电压，所述存取晶体管是耗尽型的p沟道型MISFET，在所述存储单元的活性化时，通过所述字线在存取晶体管的栅电极上施加所述接地电压。