电流源装置

摘要

本发明公开了一种电源领域的电流源装置，包括2个NMOS晶体管M0、M1；3个PMOS晶体管M2、M3、M4和1个电阻R；电阻R的一端和M4的源极相连接，并连接到电源电压VDD上；电阻R的另一端和M3的源极相连接，M4的栅极和漏极相连接，并连接到M2的源极上；M3的的栅极和M2的栅极相连接，并连接到M2的漏极和M0的漏极上；M3的漏极和M1的漏极相连接，并连接到M0和M1的栅极上；M0和M1的源极相连接，并连接到电源地GND上。本发明具有器件少、功耗低、设计简单、可靠性高等特点。

主权项

1.一种电流源装置，其特征在于，包括2个NMOS晶体管M0、M1；3个PMOS晶体管M2、M3、M4和1个电阻R；所述电阻R的一端和PMOS晶体管M4的源极相连接，并连接到电源电压VDD上；电阻R的另一端和PMOS晶体管M3的源极相连接，PMOS晶体管M4的栅极和漏极相连接，并连接到PMOS晶体管M2的源极上；PMOS晶体管M3的栅极和PMOS晶体管M2的栅极相连接，并连接到PMOS晶体管M2的漏极和NMOS晶体管M0的漏极上；PMOS晶体管M3的漏极和NMOS晶体管M1的漏极相连接，并连接到NMOS晶体管M0和NMOS晶体管M1的栅极上；NMOS晶体管M0和NMOS晶体管M1的源极相连接，并连接到电源地GND上；如果所有的MOS晶体管都工作在饱和区，则流经晶体管M0的电流I与电源电压无关，其中，选择的NMOS晶体管M0与NMOS晶体管M1的栅的宽长比为2.5∶1，PMOS晶体管M2、PMOS晶体管M3与PMOS晶体管M4的栅的宽长比为10∶1∶10。