| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了半导体器件及其制造方法。本发明实现在Si晶片中不发生损伤的闪光灯退火法。在Si晶片1的上方设置闪光灯光源，在由从闪光灯光源辐射出的光加热Si晶片(1)时，以由上述光在Si晶片(1)上形成的光强度分布形成在与Si晶片(1)晶体取向不同的方向上强度成为最大的分布的方式，加热Si晶片(1)。 | ||
| 申请公布号 | CN100373533C | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200410056986.0 | 申请日期 | 2004.08.24 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 伊藤贵之;须黑恭一 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 李峥;于静 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，包括：包含单晶半导体区域的基板；以及包含设在上述基板上的线图案的图案；其中，任意一个上述线图案的长度方向均与上述单晶半导体区域的晶体取向不同。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||