| 发明名称 | 一种超大规模集成电路隔离工艺的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种超大规模集成电路隔离工艺的方法，除包括常规的浅沟漕隔离沟槽形成、沟槽二氧化硅淀积、化学机械抛光等工艺步骤外，还在沟槽二氧化硅淀积后，化学机械抛光前：首先在沟漕再淀积一层保护膜，然后进行图形刻蚀。本发明可使浅沟漕隔离工艺达到最大程度的平坦化，能很好地控制浅沟漕隔离二氧化硅的厚度和形貌，避免由于沟漕尖角电场不均匀而引起的漏电，从而解决了现有工艺集成中的问题，达到良好的器件隔离。 | ||
| 申请公布号 | CN101136354A | 申请公布日期 | 2008.03.05 |
| 申请号 | CN200610030530.6 | 申请日期 | 2006.08.29 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈华伦;邝亚镭;钱文生 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁;李隽松 |
| 主权项 | 1.一种超大规模集成电路隔离工艺的方法，包括浅沟漕隔离沟槽形成、沟槽二氧化硅淀积、化学机械抛光步骤，其特征在于，在所述沟槽二氧化硅淀积后，化学机械抛光前，还包括：首先在沟漕淀积一层保护膜，然后进行图形刻蚀。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||