基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法

摘要

本发明涉及一种提高基于绝缘体上的硅材料的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)抗总剂量辐射的场区加固方法，属于微电子技术领域。由此可见，其特征在于所述的场效应晶管制作的工艺过程进行体注入时，采用先进行高浓度深注入，再进行较低浓度的浅注入的分步注入方法，在晶体管的体区、靠近顶层硅/隐埋氧化层界面的顶层硅部分，即背沟道引入重掺杂，通过分别调节前沟和背沟的阈值电压；在不影响前沟阈值电压的情况下，提高背沟阈值电压，使背沟区域的硅层很难反型形成沟道，降低背沟漏电流。本发明提供的加固方法能大幅度减少辐射引起的背沟漏电流，因此具有抗总剂量辐射的优越性能，适用于商业化生产。

主权项

1.一种绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法，包括利用绝缘层上硅材料金属氧化物半导体器件流片工艺、预栅氧、光刻工艺之后，进行掺杂后再进行退火和后续工艺，其特征在于在预栅氧、光刻N沟或P沟道之后，进行N体掺杂采用的分步注入方法是先进行1×1012～5×1014cm-2 的剂量的硼离子注入，注入的能量，使得退火后硼离子分布于顶层硅/BOX界面附件的背沟区域，硼离子注入时的能量为40～100keV；然后采用较低的能量注入低剂量硼离子，以调节正栅的阈值电压，此时注入的剂量低于先前注入的剂量，处于1×1010～5×1012cm-2范围内，低剂量硼离子注入时的能量为20～100keV，具体依顶层硅的厚度与栅氧厚度而定。