具有热绝缘层之薄膜相变化细胞及其制造方法

摘要

本发明系揭露一记忆元件包括一顶侧之第一电极、具有一顶侧之第二电极、以及位于第一电极与第二电极之间的绝缘构件。此绝缘构件在第一与第二电极之间、接近第一电极之顶侧与第二电极之顶侧处，具有一厚度。一薄膜导桥横跨了绝缘构件，并定义了一电极间路径于第一与第二电极之间、横跨绝缘构件处。一个由此记忆细胞所构成之阵列亦被提供。此薄膜导桥包括一相变化材料的主动层在第一端其具有至少两固态相，以及一热隔离毯子材料层于此记忆材料之上，其中该热绝缘材料毯子具有一导热性低于其上之电绝缘材料层。