发明名称 切换装置及方法
摘要 本发明揭示一种装置(100),其具有:一第一场效电晶体(102),其具有的一通道区域系藉由一闸极(108、110)控制;一第二场效电晶体(104),其具有的一第一通道区域系实质藉由一第一闸极(112)控制,及其具有的一第二通道区域系实质藉由一第二闸极(122)控制。该第一场效电晶体的闸极(108、110)与该第二场效电晶体的第一闸极(112)系耦合到一记忆体写线。该第二场效电晶体的该第二闸极(112)系从一记忆体位元单元接收一控制信号。
申请公布号 TW200812071 申请公布日期 2008.03.01
申请号 TW096107874 申请日期 2007.03.07
申请人 飞思卡尔半导体公司 发明人 詹姆士D 柏奈特
分类号 H01L27/11(2006.01);G11C11/41(2006.01) 主分类号 H01L27/11(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国