发明名称 半导体积体电路装置及其制造方法
摘要 在使用 SOG 膜作为层间绝缘膜的光检测器中,因受光部的上部构造层中产生的膜厚差,会引起开口部的底面不平坦,产生受光部面内的入射光量的不均匀。其解决方法是,在被配线构造所包围的四边形受光部内部形成开口部时,除去角部进行蚀刻。例如,在将开口部形成为八角形的情况下,开口部的4条边与受光部的4条边相接,开口部的其他4条边设置在比受光部的4个角部向受光部的中心部后退的位置上。
申请公布号 TW200811943 申请公布日期 2008.03.01
申请号 TW096122992 申请日期 2007.06.26
申请人 三洋电机股份有限公司 发明人 山田哲也
分类号 H01L21/306(2006.01);H01L31/105(2006.01) 主分类号 H01L21/306(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 日本