| 摘要 |
〔课题〕提供一种能够直接地接触由Al或Al合金膜而形成之电极或配线和透明电极层并且具有良好之可靠性及生产性之半导体装置(device)。〔解决手段〕本发明之透明导电膜系由In2O3、SnO2及ZnO实质构成之透明导电膜，莫尔数(mol)比In／(In＋Sn＋Zn)成为0.65～0.8，并且，莫尔数(mol)比Sn／Zn成为1以下。该透明导电膜系和由Al或Al合金膜之所形成之电极或配线之间，具有良好之电接触(contact)特性。此外，包括该透明导电膜和由Al或A1合金膜之所形成之电极或配线之半导体装置(device)系具有良好之可靠性及生产性。 |
