| 发明名称 | 用于发光二极管的扩散阻挡层 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于发光二极管的扩散阻挡层。其中，公开了一种用于防止反射镜金属在发光二极管中迁移的结构。该结构包括：相应的p型和n型半导体外延层，用于在施加的电流的作用下产生复合和光子；反射金属层，邻近所述外延层中的至少一个，用于增强所期望方向中的光输出；所述反射金属层上的第一钛钨层；所述第一钛钨层上的氮化钛钨层；以及所述氮化钛钨层上与所述第一钛钨层相对的第二钛钨层。 | ||
| 申请公布号 | CN101132043A | 申请公布日期 | 2008.02.27 |
| 申请号 | CN200710141670.5 | 申请日期 | 2007.08.17 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | 赫尔默特·哈格雷特尼;佐坦·瑞恩;贾森·古尔加尼斯 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种发光二极管，包括：相应的p型和n型半导体外延层，用于在施加的电流的作用下，产生复合和光子；反射金属层，邻近所述外延层中的至少一个，用于增强所期望的方向上的光输出；所述反射金属层上的第一钛钨层；所述第一钛钨层上的氮化钛钨层；以及所述氮化钛钨层上与所述第一钛钨层相对的第二钛钨层。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗莱纳 | ||