发明名称 |
一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置,包括:超临界干燥室,用于牺牲层的释放,由高压反应室和温度控制室组成;高压反应室用于盛放硅片支架,提供二氧化碳置换和气化干燥的反应室,与二氧化碳气瓶相连,且高压反应室的外壁上安装有半导体制冷环;温度控制室通过蒸发器盘管与高压反应室相连,实现高压反应室的制冷和加热;分离减压室通过管道与高压反应室相连,用于减压后将醇类和二氧化碳分离;超临界干燥室与分离减压室通过支座台固定连接。利用本实用新型,解决了微细加工中干燥时粘连的问题,降低了液体二氧化碳的消耗量,达到了节约能源的目的,与二氧化碳制冷或氟里昂制冷相比,结构简单,无噪音,无污染,制冷速度快。 |
申请公布号 |
CN201028934Y |
申请公布日期 |
2008.02.27 |
申请号 |
CN200720103994.5 |
申请日期 |
2007.03.28 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
刘茂哲;景玉鹏;陈大鹏;欧毅;叶甜春 |
分类号 |
F26B5/06(2006.01);B81C1/00(2006.01) |
主分类号 |
F26B5/06(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
1.一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置,其特征在于,该装置包括:超临界干燥室,用于牺牲层的释放,由高压反应室(4)和温度控制室(5)组成;高压反应室(4)用于盛放硅片支架,提供二氧化碳置换和气化干燥的反应室,与二氧化碳气瓶相连,且高压反应室(4)的外壁上安装有半导体制冷环(201);温度控制室(5)通过蒸发器盘管与高压反应室(4)相连,实现高压反应室(4)的制冷和加热;分离减压室(6),通过管道与高压反应室(4)相连,用于减压后将醇类和二氧化碳分离;所述超临界干燥室与分离减压室(6)通过支座台(2)固定连接。 |
地址 |
100029北京市朝阳区北土城西路3号 |