双向双NMOS开关

摘要

一种半导体开关，包括两个以反串联设置耦合的NMOS晶体管、耦合到NMOS晶体管的栅极的栅极控制电路。NMOS晶体管的漏极是互连的，栅极控制电路耦合到漏极互连。所需的芯片面积是已有的开关的一半。将栅极泵送至更高的电压可以引起NMOS晶体管的尺寸的进一步减小。另外有利于在NMOS晶体管的源极之间允许大范围的输入和输出电压，源极分别充当开关的输入和输出，从而可以使开关应用于广泛的技术领域。

主权项

1.一种半导体开关，包括：两个以反串联设置耦合的MOS晶体管，耦合到MOS晶体管的栅极的栅极控制电路，该MOS晶体管体现为N沟道MOS晶体管，MOS晶体管的漏极互连，该栅极控制电路耦合到该互连的漏极；其中栅极控制电路包括开关电容装置，该开关电容装置的一端通过开关连接到互连的漏极，另一端通过至少一个二极管连接到两个MOS晶体管的栅极，以执行两阶段的栅极泵送电压倍增操作。