发明名称 一种薄膜电晶体液晶显示器之画素结构与制作方法
摘要 一种薄膜电晶体液晶显示器之画素结构与制作方法,其先设置一缓冲层于基板上,在画素驱动单元制作后,于制作具接触孔之保护层之时,于同一道制程中对画素显示区域进行蚀刻制程,直到该缓冲层过蚀刻(over etching)为止,藉以有效去除画素显示区域上残留之非晶矽微粒,以避免该非晶矽微粒于画素显示区域与后续制程形成之画素电极产生弱电容耦合效应,进而提高薄膜电晶体液晶显示器之制作良率。
申请公布号 TWI293801 申请公布日期 2008.02.21
申请号 TW094143774 申请日期 2005.12.12
申请人 胜华科技股份有限公司 发明人 郭建忠
分类号 H01L29/786(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 黄志扬 台北市中山区长安东路1段23号10楼之1
主权项 1.一种薄膜电晶体液晶显示器之画素结构,其包含: 一基板; 一缓冲层,设于该基板之一侧表面,且该缓冲层形 成一第一缓冲层及一第二缓冲层,其中该第一缓冲 层之厚度小于该第二缓冲层之厚度; 一画素驱动单元,设于该第二缓冲层上; 一保护层,设于该画素驱动单元上,且该保护层具 有一接触孔; 一画素电极,该画素电极覆盖该第一缓冲层并延伸 覆盖该接触孔,该画素电极藉由该接触孔与该画素 驱动单元电性连接。 2.如申请专利范围第1项之画素结构,其中该画素驱 动单元包含一电晶体、一储存电容。 3.如申请专利范围第1项之画素结构,其中该缓冲层 为氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiOx)或氮氧化矽(SiONx)之任 一者。 4.一种薄膜电晶体液晶显示器之画素结构的制作 方法,其包含: 形成一缓冲层于一基板之一侧表面上; 形成一画素驱动单元于该缓冲层; 形成一保护层于该缓冲层及该画素驱动单元; 图案化该保护层,形成一接触孔于该画素驱动单元 上,并将该缓冲层形成一第一缓冲层及一第二缓冲 层,其中该第二缓冲层位于该画素驱动单元及该基 板之间; 形成一画素电极,该画素电极覆盖于该第一缓冲层 并延伸覆盖于该接触孔,藉由该接触孔使该画素驱 动单元与该画素电极电性连接。 5.如申请专利范围第4项之制作方法,其中该画素驱 动单元包含一电晶体、一储存电容。 6.如申请专利范围第4项之制作方法,其中该缓冲层 为氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiOx)或氮氧化矽(SiONx)之任 一者。 图式简单说明: 第1图,系本发明薄膜电晶体液晶显示器之画素结 构示意图。 第2-1图,系本发明于基板上形成缓冲层之结构示意 图。 第2-2图,系本发明形成画素驱动单元后之结构示意 图。 第2-3图,系本发明形成保护层后之结构示意图。 第2-4图,系本发明于保护层上制作接触孔,并于同 一道制程中对缓冲层过蚀刻后之结构示意图。 第2-5图,系本发明制作画素电极后之画素结构示意 图。
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