主权项 |
1.一种薄膜电晶体液晶显示器之画素结构,其包含: 一基板; 一缓冲层,设于该基板之一侧表面,且该缓冲层形 成一第一缓冲层及一第二缓冲层,其中该第一缓冲 层之厚度小于该第二缓冲层之厚度; 一画素驱动单元,设于该第二缓冲层上; 一保护层,设于该画素驱动单元上,且该保护层具 有一接触孔; 一画素电极,该画素电极覆盖该第一缓冲层并延伸 覆盖该接触孔,该画素电极藉由该接触孔与该画素 驱动单元电性连接。 2.如申请专利范围第1项之画素结构,其中该画素驱 动单元包含一电晶体、一储存电容。 3.如申请专利范围第1项之画素结构,其中该缓冲层 为氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiOx)或氮氧化矽(SiONx)之任 一者。 4.一种薄膜电晶体液晶显示器之画素结构的制作 方法,其包含: 形成一缓冲层于一基板之一侧表面上; 形成一画素驱动单元于该缓冲层; 形成一保护层于该缓冲层及该画素驱动单元; 图案化该保护层,形成一接触孔于该画素驱动单元 上,并将该缓冲层形成一第一缓冲层及一第二缓冲 层,其中该第二缓冲层位于该画素驱动单元及该基 板之间; 形成一画素电极,该画素电极覆盖于该第一缓冲层 并延伸覆盖于该接触孔,藉由该接触孔使该画素驱 动单元与该画素电极电性连接。 5.如申请专利范围第4项之制作方法,其中该画素驱 动单元包含一电晶体、一储存电容。 6.如申请专利范围第4项之制作方法,其中该缓冲层 为氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiOx)或氮氧化矽(SiONx)之任 一者。 图式简单说明: 第1图,系本发明薄膜电晶体液晶显示器之画素结 构示意图。 第2-1图,系本发明于基板上形成缓冲层之结构示意 图。 第2-2图,系本发明形成画素驱动单元后之结构示意 图。 第2-3图,系本发明形成保护层后之结构示意图。 第2-4图,系本发明于保护层上制作接触孔,并于同 一道制程中对缓冲层过蚀刻后之结构示意图。 第2-5图,系本发明制作画素电极后之画素结构示意 图。 |