| 主权项 |
1.一种可在一电浆处理操作中以电浆来处理一工 件的方法,该电浆系由一电浆处理装置的电浆腔室 中之处理气体所生成,该装置含有一电磁铁阵列环 绕该电浆腔室的周缘来置设;而该方法包含: 由该腔室内之处理气体产生一电浆,并使该电浆粒 子撞击该工件; 选择该等电磁铁之电流信号的配布;及 将各该选择的配布电流施加于该等电磁铁,而在该 电浆处理操作中将两种以上的磁场廓形施加于该 电浆上。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中至少有一磁场 廓形系为非旋转磁场廓形。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中至少有一磁场 廓形系为旋转磁场廓形。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中该至少一旋转 磁场廓形会在被施加于该电浆上时来修正该电浆 密度的不均一性。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中该至少一旋转 磁场廓形系为一穿越磁场廓形。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中该穿越磁场廓 形的磁场廓线系为非直线的。 7.如申请专利范围第2项之方法,其中该至少一非旋 转磁场廓形系为一桶式磁场廓形。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中该两种以上的 磁场廓形系包括一穿越磁场廓形及一桶式磁场廓 形。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中该施加电流的 步骤乃包含施加该等电流信号,而在该电浆处理操 作的第一时段施加一桶形磁场于该电浆上,并在该 电浆处理操作的第二时段施加一穿越磁场于该电 浆上。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中在该电浆处 理操作的第一时段会有多数的桶形磁场被施加于 该电浆上,而以预定的速率来减少电浆密度。 11.如申请专利范围第10项之方法,其中该穿越磁场 的廓线为非直线状。 12.如申请专利范围第11项之方法,其中该穿越磁场 会修正该电浆的非均一性。 13.如申请专利范围第1项之方法,其中至少有一磁 场廓形会在处理时改变角方向。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中在处理时会 改变角方向的至少一磁场廓形系以旋转来改变角 方向。 图式简单说明: 第1图为供说明本发明之一电浆处理系统的示意图 ,该系统示出一工件及电浆在一处理装置的电浆腔 室中,并示出一外部导磁结构及一电磁铁阵列包围 该处理腔室; 第2图为第1图之装置的部份顶面示意图,第2图乃示 出该处理腔室,一底部电极,该外部导磁结构及电 磁铁阵列包围该处理腔室,并示出施加于该腔室内 部之一穿越磁场廓面; 第3图系类似于第2图,惟示出施加于该腔室内部之 一桶式磁场廓面; 第4图为一电源供应电路之例的示意图,其能以电 力来供应一磁铁阵列; 第5图为一可供应电力于磁铁阵列之电源供应电路 的第二例之示意图; 第6图为一类似于第3图的示意图,惟示出藉二电磁 铁系统来施加于该处理腔室之桶形磁场廓面;及 第7图为一图表示出在第6图的装置中之四个相邻 电磁铁内的电流。 |
