发明名称 |
高通量薄膜表征方法及其装置 |
摘要 |
本发明揭示了一种高通量薄膜表征方法及其装置,其包括有以下步骤:将包括两个或两个以上数量样本的待测薄膜置放于一一面开口的第一存储装置的开口上,其中薄膜与第一存储装置形成一个封闭的第一腔,其中薄膜的第一侧面对第一腔;往封闭的第一腔内通入一种或多种预定气体;将一探头置于待测薄膜的第二侧的上方并接近待测薄膜处进行其样本上方的气态物质采集,采集到的气态物质被输送到至少一个检测装置内进行分析。 |
申请公布号 |
CN101126702A |
申请公布日期 |
2008.02.20 |
申请号 |
CN200710111727.7 |
申请日期 |
2007.06.01 |
申请人 |
亚申科技研发中心(上海)有限公司;美国亚申公司 |
发明人 |
王尤崎;王卓 |
分类号 |
G01N15/08(2006.01);B01D71/02(2006.01);B01D53/22(2006.01) |
主分类号 |
G01N15/08(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种高通量薄膜表征方法,其特征在于:其包括有以下步骤:第一步,将包括两个或两个以上数量样本的待测薄膜置放于一一面开口的第一存储装置的开口上,其中所述薄膜与所述第一存储装置形成一个封闭的第一腔,其中薄膜的第一侧面对所述第一腔;第二步,向所述封闭的第一腔内通入一种或多种预定气体;第三步,将一探头置于所述待测薄膜的相对第二侧的上方并接近所述待测薄膜处进行所述两个或两个以上样本上方的气态物质采集;第四步,分析采集到的气态物质以确定各检测样本的性能。 |
地址 |
201203上海市浦东新区张江高科技园龙东大道3000号5号楼一楼西 |