| 发明名称 | 成膜方法和成膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种成膜方法，具备向能够抽真空的处理容器内供给高熔点金属有机原料气体的第一气体供给工序；向上述处理容器内供给包括含氮气体、含硅气体或含碳气体中的任一种或多种气体的第二气体供给工序，在载置于上述处理容器内的被处理体表面，形成由高熔点金属的氮化物、硅化物、碳化物中的任一种或多种构成的金属化合物膜的薄膜。上述第一气体供给工序和第二气体供给工序交替进行，在第一气体供给工序中和第二气体供给工序中，上述被处理体的温度维持在上述高熔点金属有机原料的分解开始温度以上的温度。 | ||
| 申请公布号 | CN101128620A | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN200680006297.6 | 申请日期 | 2006.07.07 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 中村和仁;山崎英亮;河野有美子 |
| 分类号 | C23C16/42(2006.01);C23C16/46(2006.01);C23C16/455(2006.01);H01L21/285(2006.01) | 主分类号 | C23C16/42(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种成膜方法，其特征在于：包括向能够抽真空的处理容器内供给高熔点金属有机原料气体的第一气体供给工序；和向所述处理容器内供给包括含氮气体、含硅气体或含碳气体中的任一种或多种气体的第二气体供给工序，在载置于所述处理容器内的被处理体表面，形成由高熔点金属的氮化物、硅化物、碳化物中的任一种或多种构成的金属化合物膜的薄膜，其中，第一气体供给工序和第二气体供给工序交替进行，在第一气体供给工序中和第二气体供给工序中，所述被处理体的温度维持在所述高熔点金属有机原料的分解开始温度以上的温度。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||