| 发明名称 | GaAs基材料上原位淀积高介电常数Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>和金属膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在GaAs基材料上原位淀积高介电常数Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>和金属膜的方法。采用EB真空蒸发，用高纯Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>颗粒和金属作蒸发源材料，在一台EB蒸发台内先后完成高介电常数Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>膜和金属膜的两种膜蒸发淀积，具体过程为：对GaAs基材料的基片进行清洗；在清洗干净的GaAs基片上光刻图形；将光刻后的片子装入EB的反应室中，对其抽真空达预定值，用氩离子活化GaAs基片表面；再设定源材的密度D和Z系数，置高压为10KV，根据源材的不同加上不同蒸发电流；分别进行Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>膜的蒸发和金属膜的蒸发淀积；当膜厚达到要求值后速将电流减为0，取出片子将蒸发到片子上的Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>/金属，或金属/Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>进行剥离。本发明不仅降低了成本，而且工艺简单，膜质量好，可用于GaAs基器件和IC的大量生产。 | ||
| 申请公布号 | CN100370584C | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN200510096232.2 | 申请日期 | 2005.10.25 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 郝跃;谢永桂;冯倩;王冲;龚欣;李亚琴 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L21/3205(2006.01);C23C14/30(2006.01) | 主分类号 | H01L21/283(2006.01) |
| 代理机构 | 陕西电子工业专利中心 | 代理人 | 王品华;朱红星 |
| 主权项 | 1.一种在GaAs基材料上原位淀积高介电常数Al2O3和金属膜的方法，其特征在于：采用高纯Al2O3颗粒和金属作蒸发源材料，在1台电子束蒸发台内先后完成高介电常数Al2O3膜和金属膜的两种膜蒸发淀积，具体过程如下：(1)对GaAs基材料的基片进行清洗；(2)在清洗干净的GaAs基片上光刻图形；(3)将光刻后的片子装入电子束蒸发台的反应室中，对其抽真空达预定值，用氩离子活化GaAs基片表面，再分别进行Al2O3膜的蒸发和金属膜的蒸发淀积；(4)将蒸发到片子上的Al2O3/金属，或金属/Al2O3进行剥离，留下需要部分。 | ||
| 地址 | 710071陕西省西安市太白路2号 | ||