| 发明名称 | 一种砷化镓单片微波集成电路功率放大器热沉的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种GaAs MMIC功率放大器热沉的制作方法，该方法包括：A、制作与芯片尺寸相合的陶瓷基片及钼材料基片；B、在制作的陶瓷基片的上下表面之间打孔；C、在打孔的陶瓷基片的上下表面及孔的内壁镀金；D、将镀金后的陶瓷基片上表面与钼材料基片的下表面粘合；E、将芯片与钼材料基片的上表面粘合；F、将陶瓷基片的下表面与腔体粘合，完成热沉的制作。利用本发明，由于使用了陶瓷基片与钼材料基片，通过两种材料的不同热膨胀特性，避免了在陶瓷基片上直接粘合芯片易发生断裂的现象，解决了GaAs芯片热传导性能差，热耗散不能及时而导致芯片单管烧毁的问题，进而解决了GaAs芯片粘结断裂现象，提高了芯片的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101127309A | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN200610112408.3 | 申请日期 | 2006.08.16 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱旻;张海英;刘训春 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01);H01L23/373(2006.01) | 主分类号 | H01L21/48(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1.一种砷化镓单片微波集成电路GaAs MMIC功率放大器热沉的制作方法，其特征在于，该方法包括：A、制作与芯片尺寸相合的陶瓷基片及钼材料基片；B、在制作的陶瓷基片的上下表面之间打孔；C、在打孔的陶瓷基片的上下表面及孔的内壁镀金；D、将镀金后的陶瓷基片上表面与钼材料基片的下表面粘合；E、将芯片与钼材料基片的上表面粘合；F、将陶瓷基片的下表面与腔体粘合，完成热沉的制作。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||