| 发明名称 | 半导体制造工艺中利用两个光掩模的二次曝光方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体制造工艺中利用两个光掩模的二次曝光方法，包括以下步骤：(a)提供基板，该基板具有一表面；(b)形成负型感光材料于该基板的该表面上；(c)提供第一光掩模，该第一光掩模具有第一图案；(d)利用第一光束通过该第一光掩模对该负型感光材料进行第一次曝光程序；(e)提供第二光掩模，该第二光掩模具有第二图案，该第二图案的整体纹路大致上相同于该第一图案的整体纹路；及(f)利用第二光束通过该第二光掩模对该负型感光材料进行第二次曝光程序。由此，该负型感光材料不会因产生破损而造成成品率损失的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101126906A | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN200710137173.8 | 申请日期 | 2007.07.30 |
| 申请人 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 苏政学;何聪杰 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);G03F7/038(2006.01);G03F1/14(2006.01);G03F1/00(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种半导体制造工艺中利用两个光掩模的二次曝光方法，包括以下步骤：(a)提供基板，该基板具有一表面；(b)形成负型感光材料于该基板的该表面上；(c)提供第一光掩模，该第一光掩模具有第一图案；(d)利用第一光束通过该第一光掩模对该负型感光材料进行第一次曝光程序；(e)提供第二光掩模，该第二光掩模具有第二图案，该第二图案的整体纹路大致上相同于该第一图案的整体纹路；及(f)利用第二光束通过该第二光掩模对该负型感光材料进行第二次曝光程序。 | ||
| 地址 | 中国台湾高雄市 | ||