记忆体装置中之可靠性、可用性及耐用性改良技术

摘要

本发明之实施例一般系针对一记忆体装置中之可靠性、可用性、及耐用性改良技术。某些实施例中，一记忆体装置包括一记忆体核心，其具有用于储存资料位元之一第一部分，以及用于储存对应该等资料位元之错误修正码(ECC)位元的一第二部分。该记忆体装置亦可包括与该记忆体核心位于相同晶粒之错误修正逻辑。某些实施例中，该错误修正逻辑使该记忆体装置能够计算ECC位元以及比较该等储存之ECC位元与该等计算之ECC位元。