单结晶SiC及其制造方法与单结晶SiC之制造装置SINGLE CRYSTAL SIC, METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING THE SAME

摘要

本发明旨在提供一种单结晶SiC的制造方法，此种方法可避免多结晶SiC的混入，且使高品质的单结晶SiC成长为磊晶；以及依据该方法而得到的高品质单结晶SiC。除此之外，本发明之另一目的系在提供一种单结晶SiC的制造装置，可避免多结晶SiC的混入，且使高品质的单结晶SiC成长为磊晶。本发明之单结晶SiC的制造方法，其特征在于：包含以下两个步骤：将固定有SiC种单结晶之基座，与用以从外部供应单结晶SiC制造用原料的原料供应管，设置在坩埚内的步骤；及在充填有高温环境气体的该坩埚内，将该单结晶SiC制造用原料与携载气体一起，经由原料供应管供应，以使该单结晶SiC成长的步骤；此外，在将该原料供应管与该SiC种单结晶之间的距离设为L(mm)；且将该携载气体的线速度设为S(mm／sec)时，满足L／S(sec)≦3的条件。