发明名称 溅镀靶及接合型溅镀靶及其制作方法
摘要 本发明系提供可形成与由Au、Cu等金属、或含有该等中至少其中一种之合金所构成膜间的密接性良好,且具耐蚀性、异常放电现象较少之膜,并可成膜于大型基板上的溅镀靶。本发明解决手段的溅镀靶系在供基板上形成Mo-Ti合金膜用的溅镀靶,由:Ti含有高于50原子%、且60原子%以下,其余则为Mo及不可避免的不纯物所构成,相对密度系98%以上。本发明解决手段的接合型溅镀靶及接合型溅镀靶之制作方法中,该接合型溅镀靶系将该溅镀靶2以上施行扩散接合,且至少其中一边达1000mm以上。
申请公布号 TW200808989 申请公布日期 2008.02.16
申请号 TW096112725 申请日期 2007.04.11
申请人 爱发科材料股份有限公司 发明人 新田纯一;伊藤隆治;松本博;伊藤学
分类号 C23C14/34(2006.01);C22C27/04(2006.01);C23C14/16(2006.01) 主分类号 C23C14/34(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本