发明名称 一种钴合金靶材的制造方法
摘要 本发明系提出磁记录媒体(Magnetic Recording Medium)溅镀用一种钴合金靶材的制造方法,此方法系经由非消耗性真空电弧熔炼(Vacuum Arc Melting;VAM)制程产生合金靶材,系包括钴(Co)以及至少一种添加选自铬(Cr)、镍(Ni)、钽(Ta)、铂(Pt)、钒(V)、钼(Mo)、硼(B)、矽(Si)、锌(Zn)、钛(Ti)、钐(Sm)、铌(Nb)、磷(P)、铑(Rh)、钯(Pd)、钪(Sc)、锆(Zr)、铁(Fe)、铪(Hf)、铼(Re)等不同金属所形成之合金,首先使用VAM炉中水冷却熔炼模具先将合金原料熔炼成母合金锭,然后将母合金锭移至定型模具再重熔定型成靶材合金胚体,最后将合金胚体简单加工成溅镀用靶材,此制程方法可有效提高合金成品率及靶材致密性,提高清净度并降低微偏析及减少微小缩孔,降低制造成本与延长靶材使用寿命。
申请公布号 TW200808988 申请公布日期 2008.02.16
申请号 TW095129728 申请日期 2006.08.14
申请人 国防部军备局中山科学研究院 发明人 黄信二;薄慧云;王汉能
分类号 C23C14/34(2006.01);C22C19/07(2006.01);C22B9/20(2006.01) 主分类号 C23C14/34(2006.01)
代理机构 代理人
主权项
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