发明名称 |
金属蚀刻缺陷侦测装置及其侦测方法 |
摘要 |
本发明系一种金属蚀刻缺陷侦测装置及其侦测方法,其系整合光谱装置、记录装置及处理装置,兼具侦测、记录、运算能力之装置;本发明之金属蚀刻缺陷侦测方法,系撷取金属蚀刻缺陷结构之光激发光谱资讯,并将光谱资讯予以储存,最后运算光谱资讯输出可供分析之图表,当中可适当引入磁场周期参数,可整合应用于强化光激发光谱之分析技术,达到快速测定金属蚀刻缺陷,并可与磁场周期同步。 |
申请公布号 |
TW200809181 |
申请公布日期 |
2008.02.16 |
申请号 |
TW095129873 |
申请日期 |
2006.08.15 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CORPORATION 中国 |
发明人 |
宓守刚;罗来青 |
分类号 |
G01N21/27(2006.01);H01L21/66(2006.01) |
主分类号 |
G01N21/27(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林火泉 |
主权项 |
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地址 |
中国 |