发明名称 金属蚀刻缺陷侦测装置及其侦测方法
摘要 本发明系一种金属蚀刻缺陷侦测装置及其侦测方法,其系整合光谱装置、记录装置及处理装置,兼具侦测、记录、运算能力之装置;本发明之金属蚀刻缺陷侦测方法,系撷取金属蚀刻缺陷结构之光激发光谱资讯,并将光谱资讯予以储存,最后运算光谱资讯输出可供分析之图表,当中可适当引入磁场周期参数,可整合应用于强化光激发光谱之分析技术,达到快速测定金属蚀刻缺陷,并可与磁场周期同步。
申请公布号 TW200809181 申请公布日期 2008.02.16
申请号 TW095129873 申请日期 2006.08.15
申请人 上海宏力半导体制造有限公司 GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CORPORATION 中国 发明人 宓守刚;罗来青
分类号 G01N21/27(2006.01);H01L21/66(2006.01) 主分类号 G01N21/27(2006.01)
代理机构 代理人 林火泉
主权项
地址 中国