发明名称 用于通过激光束使半导体结晶化的装置
摘要 由多个激光源所发射的激光束被分为多个子光束,其被照射到一个基片上的无定形半导体的所选择部分上,以使得该无定形半导体结晶化。通过一个光束扩展器纠正在该激光束之间的发散角的差别。该装置包括激光源;用于支承包括无定形半导体的基片的平台;光学聚焦系统;以及所述平台包括平行放置并且同步地在第一方向上运动的第一台部件、置于第一台部件上方并且在与第一方向相垂直的第二方向上运动的第二台部件、可旋转地置于第二台部件上方的第三台部件,使得由激光源所发射的激光束通过该光学聚焦系统被照射到固定到第三台部件的基片上的半导体上,以使该半导体熔化和结晶化。
申请公布号 CN100369189C 申请公布日期 2008.02.13
申请号 CN200510079084.3 申请日期 2003.05.16
申请人 夏普株式会社;株式会社日本激光 发明人 佐佐木伸夫;宇塚达也;大木孝一
分类号 H01L21/00(2006.01);H01L21/268(2006.01);G02F1/133(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 付建军
主权项 1.一种用于使硅结晶化的装置,包括:激光源;用于支承包括无定形硅的基片的平台;光学聚焦系统;以及所述平台包括多个平行放置并且同步地在第一方向上运动的第一台部件、置于第一台部件上方并且在与第一方向相垂直的第二方向上运动的第二台部件、可旋转地置于第二台部件上方的第三台部件,使得由激光源所发射的激光束通过该光学聚焦系统被照射到固定到第三台部件的基片上的硅上,以使该硅熔化和结晶化。
地址 日本大阪