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发明名称 Method of depositing SiO2 insulator film filling nano gap using APCVD apparatus
摘要
申请公布号 KR100802381(B1) 申请公布日期 2008.02.13
申请号 KR20050129436 申请日期 2005.12.26
申请人 发明人
分类号 H01L21/762;H01L21/316 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
主权项
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