发明名称 6英寸As背封衬底MOS器件外延片均匀性的控制方法
摘要 本发明公开了一种6英寸As背封衬底MOS器件外延片均匀性的控制方法。本方法是使用工艺步骤为HCL原位抛光——第一次大流量的H<SUB>2</SUB>赶气——降温——生长本征层——第二次大流量的H<SUB>2</SUB>赶气-生长剩余厚度的外延层的工艺方法,第一次大流量的H<SUB>2</SUB>赶气的时间为20~30分钟,第二次大流量的H<SUB>2</SUB>赶气的时间为5~10分钟。经过多次试验发现:本发明所述的是最佳的赶气时间能有效控制自掺杂,提高外延片电阻率边缘均匀性。用本发明方法制得的外延片的扩展电阻的平坦度和过渡区的陡峭度都用比传统的方法获得的外延片的要理想。
申请公布号 CN101123179A 申请公布日期 2008.02.13
申请号 CN200710139446.2 申请日期 2007.09.18
申请人 河北普兴电子科技股份有限公司 发明人 薛宏伟
分类号 H01L21/02(2006.01);H01L21/20(2006.01) 主分类号 H01L21/02(2006.01)
代理机构 石家庄国为知识产权事务所 代理人 张明月
主权项 1.6英寸As背封衬底MOS器件外延片均匀性的控制方法,包括工艺步骤为HCL原位抛光——第一次大流量的H2赶气——降温——生长本征层——第二次大流量的H2赶气-生长剩余厚度的外延层的工艺方法,其特征在于:第一次大流量的H2赶气的时间为20~30分钟,第二次大流量的H2赶气的时间为5~10分钟。
地址 050200河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号