氮化物只读存储器存储单元阵列制造方法

摘要

在本发明的方法中，沟渠被蚀刻，且位线(8)配置于掺杂的源极/漏极区域(3，4)。使用储存层(5，6，7)，且将栅极电极(2)配置于沟渠壁。在引入用于栅极电极(2)的多晶硅之后，在所述沟渠中，以平面化的方式往回研磨所述预侧，直到抵达覆盖层(16)的顶侧，其后则将用于所述字线的一多晶硅层(18)用于整个区域上，且将其图案化以形成所述字线。

主权项

1.一种用于制造一氮化物只读存储器存储单元阵列的方法，其包含：在一半导体本体(1)或是一半导体层的顶侧，引入一杂质，以形成源极/漏极区域(3，4)，将彼此相距一距离且平行配置的沟渠(9)蚀刻至半导体材料，在所述半导体本体(1)或是所述半导体层的所述顶侧上的所述沟渠(9)之间，配置平行于所述沟渠(9)的一位线(8)，所述位线是电性传导连接至相关沟渠(9)之间的所述源极/漏极区域(3，4)，以及在所述顶侧，所述位线具一用于电性绝缘的覆盖层(16/17)，至少于所述沟渠(9)的壁上施用一储存层(5，6，7)，以一预定的距离在所述沟渠中配置栅极电极(2)，且所述栅极电极(2)是电性传导连接至字线，所述字线是以横切于所述位线(8)的方向的形式来配置，其中，以所述存储单元阵列外部的所述字线(8)来将支撑结构(24)图案化，在引入用于所述栅极电极(2)的多晶硅至所述沟渠(9)之后，以平面化的方式将所述顶侧往回研磨，直到抵达所述覆盖层(16)的所述顶侧，所述支撑结构(24)乃未来支撑在所述存储单元阵列外部的多晶硅的平面化以及其后，于整个区域上，施用用于所述字线的一多晶硅层(18)，并将其图案化以形成所述字线。