| 发明名称 | 助焊剂残留的去除方法 | ||
| 摘要 | 一种去除助焊剂残留的方法，该方法包括下列步骤：首先提供一具有凸块的晶片，涂布助焊剂于凸块及晶片表面，回流该些凸块，浸泡晶片于一清洗剂中，再以一电浆清洗晶片表面，接着再冲洗此晶片并加以干燥。其中此方法的特征在于以一电浆去除法清洗晶片于清洗剂清洗后所残留下的助焊剂，以清除晶片表面所残留的助焊剂。 | ||
| 申请公布号 | CN101123172A | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200610109631.2 | 申请日期 | 2006.08.11 |
| 申请人 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 王俊棋;黃耀锋;陈知行;王启宇;蔡孟锦 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/302(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李光松 |
| 主权项 | 1.一种去除助焊剂残留的方法，适用于晶片工艺中，且该晶片表面会因清洗剂清洗而残留一助焊剂，以一电浆去除法清洗该晶片表面，以降低该助焊剂残留于该晶片表面。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||