半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法。是以在不得不缩小精细化了的热预算的制造工序中，形成覆盖硅晶片防止金属污染的除气点，以及在形成的除气点确实可以捕获金属杂质为目的。作为对硅半导体衬底进行最初的热处理，即进行了作为第1热处理的650℃～750℃的温度下持续30分钟～240分钟的热处理，其后的第2热处理的900℃～1100℃的温度下持续30分钟～120分钟的热处理。还有，即使第3次热处理，在形成栅极绝缘膜之前，进行升温温度为8℃/min加热到1000℃的，在1000℃的加热温度下持续30分钟的热处理。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征为：包括：在制造工序接受了硅半导体衬底后，对上述半导体衬底进行650℃～750℃的温度下持续30分钟～240分钟的第1热处理的第1工序；以及上述第1工序之后，进行900℃～1100℃的温度下持续30分钟-120分钟的第2热处理的第2工序，上述第1热处理及第2热处理，在以氮气为主成分的环境中进行，还包括：在上述第2工序之后，为使金属杂质扩散到除气点，对上述半导体衬底进行第3热处理的第3工序；在上述第3工序之后，还包括在上述半导体衬底的主面上形成栅极绝缘膜的第4工序。