| 发明名称 | 硅键合片界面缺陷的检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种硅键合片界面缺陷的检测方法，它包括(1)以振荡频率在1MHz以上的兆声波激活电阻值14MΩ·cm以上的去离子水，形成兆声去离子水波；(2)以所述的兆声去离子水波扫射硅键合片表面；(3)在聚光灯和显微镜下检查经兆声去离子水波扫射过的硅键合片，确定是否存在缺陷和缺陷的种类。该方法用于微电子机械制造中对硅/硅键合片界面的缺陷进行检测，能方便准确地判断其缺陷及其缺陷种类。 | ||
| 申请公布号 | CN100369228C | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200410092462.7 | 申请日期 | 2004.12.24 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 发明人 | 冯建 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1.一种硅键合片界面缺陷的检测方法，其特征有在于：该方法为(1)以振荡频率在1MHz以上的兆声波激活电阻值14MΩ.cm以上的去离子水，形成兆声去离子水波；(2)以所述的兆声去离子水波扫射硅键合片表面；(3)在聚光灯和显微镜下检查经兆声去离子水波扫射过的硅键合片，确定是否存在缺陷和缺陷的种类。 | ||
| 地址 | 400060重庆市南岸区南坪花园路14号 | ||