发明名称 |
确定化学机械研磨工艺研磨时间的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种确定化学机械研磨工艺研磨时间的方法,它可以根据模拟公式计算出当前新产品的条件键的值,进而可以计算出研磨时间,这样不但可以提高条件键值的准确性,提高良品率,而且可以节省成本。该方法的关键是根据现有产品的信息建立化学机械研磨的条件键(key)的模拟公式:key=(pre*(1-k1)+target*k1+(k1-1/M(p))*H)/100,其中pre是产品的前膜厚度、target是残膜的规格、k1是接近或达到平坦化时产品的研磨速率与先导光片研磨速率之间的相关系数、M(p)是未接近或达到平坦化前产品的研磨速率与先导光片研磨速率的比值、H指的是产品的台阶高度。 |
申请公布号 |
CN101121244A |
申请公布日期 |
2008.02.13 |
申请号 |
CN200610029995.X |
申请日期 |
2006.08.11 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
刘艳平;李晗玲 |
分类号 |
B24B29/02(2006.01);H01L21/304(2006.01);G06N7/00(2006.01) |
主分类号 |
B24B29/02(2006.01) |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 |
代理人 |
顾继光 |
主权项 |
1.一种确定化学机械研磨工艺研磨时间的方法,其特征在于,第一步,根据现有产品的信息建立化学机械研磨的条件键(key)的模拟公式:key=(pre*(1-k1)+target*k1+(k1-1/M(p))*H)/100,其中pre是产品的前膜厚度、target是残膜的规格、k1是接近或达到平坦化时产品的研磨速率与先导光片研磨速率之间的相关系数、M(p)是未接近或达到平坦化前产品的研磨速率与先导光片研磨速率的比值、H指的是产品的台阶高度;第二步,根据新产品流程,确定M(p)、H和target的数值,并根据所述模拟公式计算出key的值;第三步,利用key的值、产品的前膜厚度和先导光片的研磨速率计算得出研磨时间。 |
地址 |
201206上海市浦东新区川桥路1188号 |