| 发明名称 | 一种高密度等离子体化学气相沉淀装置 | ||
| 摘要 | 本发明有关一种高密度等离子体化学气相沉淀装置，包括腔体、电子吸着盘及支撑架；所述电子吸着盘上设置有一平边，所述腔体的抽真空排气口设置在该电子吸着盘的下部；所述支撑架固定在所述腔体的侧壁上；其中所述平边与所述支撑架位于腔体的同一侧。由于平边与支撑架处于所述腔体的同一侧，平边处的排气速度较大，而支撑架会对排气起到一定的阻碍使用，所以排气速度不均匀的状况会有一定程度的改善。 | ||
| 申请公布号 | CN100369201C | 申请公布日期 | 2008.02.13 |
| 申请号 | CN200410084267.X | 申请日期 | 2004.11.17 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 李菲;倪立华 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);H01L21/285(2006.01);C23C16/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘清富 |
| 主权项 | 1.一种高密度等离子体化学气相沉淀装置，包括腔体、电子吸着盘及支撑架；所述电子吸着盘上设置有一平边，所述腔体的抽真空排气口设置在该电子吸着盘的下部；所述支撑架固定在所述腔体的侧壁上；其特征在于：所述平边与所述支撑架处于所述腔体的同一侧。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东川桥路1188号 | ||