形成栅介电层的方法

摘要

一种形成栅介电层的方法，首先于半导体基底上形成氧化硅层，接着使用含惰性气体与氮气的等离子体对氧化硅层进行第一与第二掺氮步骤，以形成栅介电层。其中第一掺氮步骤与第二掺氮步骤相较之下，第一掺氮步骤的功率较低、压力较低，但惰性气体/氮气比较高。本发明利用第一掺氮步骤的偏深的氮掺杂物分布与第二掺氮步骤的偏浅的氮掺杂物分布的组合，得到较平坦的总掺杂物分布，以抑制在栅介电层产生的电子穿隧现象，而得以减少元件的漏电流。

主权项

1.一种形成栅介电层的方法，包括：于一半导体基底上形成一氧化硅层；以及使用含惰性气体与氮气的等离子体对该氧化硅层进行一第一与一第二掺氮步骤，以形成一栅介电层，其中该二掺氮步骤相较之下，该第一掺氮步骤的功率较低，压力较低，但惰性气体/氮气比较高。