三维多栅高压P型横向双扩散金属氧化物半导体管

摘要

本发明公开了一种用作高压器件的三维多栅高压P型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有氧化层，在氧化层上设有柱状P型漂移区，在氧化层上且位于P型漂移区两端分别相邻设置P型漏和P沟道，在氧化层上且位于与P沟道相邻的位置设有P型源，在P型漂移区的表面包覆有场氧化层，在P沟道的表面包覆有栅氧层，在场氧化层和栅氧层的表面包覆有多晶硅层；本发明具有结构紧凑且能与标准SOI金属氧化物半导体工艺相兼容，在相同的击穿电压下，导通电阻小于传统的高压横向双扩散金属氧化物半导体管的三分之一，而电流密度增加2倍以上等优点。

主权项

1.一种用作高压器件的三维多栅高压P型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有氧化层(2)，其特征在于在氧化层(2)上设有柱状P型漂移区(3)，在氧化层(2)上且位于P型漂移区(3)两端分别相邻设置P型漏(4)和P沟道(5)，在氧化层(2)上且位于与P沟道(5)相邻的位置设有P型源(6)，在P型漂移区(3)的表面包覆有场氧化层(7)，在P沟道(5)的表面包覆有栅氧化层(8)，在场氧化层(7)和栅氧化层(8)的表面包覆有多晶硅层(9)，在氧化层(2)上且位于P型漂移区(3)和P沟道(5)的下方设有空腔(21)，在空腔(21)内设有场氧化底层(71)、栅氧化底层(81)和多晶硅底层(91)，场氧化底层(71)位于P型漂移区(3)的下方且P型漂移区(3)被设置于由场氧化层(7)与场氧化底层(71)围成的空间内，栅氧化底层(81)位于P沟道(5)的下方且P沟道(5)被设置于由栅氧化层(8)与栅氧化底层(81)围成的空间内，多晶硅底层(91)位于场氧化底层(71)与栅氧化底层(81)下方，上述栅氧化层(8)和栅氧化底层(81)及部分场氧化层(7)和部分场氧化底层(71)位于由多晶硅层(9)与多晶硅底层(91)围成的空间内。