用标准CMOS工艺制作磷硅酸玻璃层光波导及集成的方法

摘要

一种用标准CMOS工艺制作磷硅酸玻璃层光波导及集成的方法，其特征在于，其步骤包括：步骤1：在硅衬底上、二氧化硅层的两端，分别制作阱和有源区，一端形成光源，另一端形成探测器；步骤2：在硅衬底上的中间生长二氧化硅层；步骤3：在二氧化硅层上淀积磷硅酸玻璃层形成光波导，该阱和有源区分别与磷硅酸玻璃层耦合；步骤4：在磷硅酸玻璃层上淀积金属铝形成上包层；光源发出的光直接耦合进光波导，通过光波导传送到光探测器，并由光探测器转换成电信号。

主权项

1.一种用标准CMOS工艺制作磷硅酸玻璃层光波导及集成的方法，其特征在于，其步骤包括：步骤1：将硅衬底上不需形成阱的部分用二氧化硅层覆盖保护起来，并在硅衬底上、所述起覆盖保护作用的二氧化硅层的两端，分别形成由阱和有源区构成的PN结，其中一端的PN结构成光源，另一端的PN结构成光探测器；步骤2：在所述两端的有源区上淀积氮化硅保护层，并在没有形成氮化硅保护层的硅衬底上生长用作光波导的下包层的二氧化硅层，再除去氮化硅保护层；步骤3：在步骤2中形成的二氧化硅层上淀积磷硅酸玻璃层形成光波导，磷硅酸玻璃层覆盖在光源和光探测器上，光源和光探测器分别与磷硅酸玻璃层构成的光波导耦接；步骤4：在磷硅酸玻璃层之上和其两侧的接触孔中淀积金属铝，形成光波导的上包层；光源发出的光直接耦合进光波导，通过光波导传送到光探测器，并由光探测器转换成电信号。