发明名称 微机电光学显示元件及其制程
摘要 一种微机电光学显示元件,包括一导电层、一介电层、一反射层以及复数个支撑柱,支撑柱设置于介电层及反射层之间。其中支撑柱呈倒锥台形,且支撑柱侧面与介电层呈一锐角,并具有水平延伸之顶部,使反射层以相距一既定间距而悬浮设置于支撑柱相对于介电层之一侧。
申请公布号 TWI293401 申请公布日期 2008.02.11
申请号 TW093141353 申请日期 2004.12.30
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 李嘉盛;林汉涂;翁嘉璠
分类号 G03F7/00(2006.01) 主分类号 G03F7/00(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼;颜锦顺 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 1.一种微机电光学显示元件,包括: 一导电层; 一介电层,设置于该导电层上; 一反射层,以相距一既定间距设置于该介电层之上 ;以及 复数个支撑柱,设置于该介电层以及该反射层之间 ,该介电层与该等支撑柱的侧面呈一锐角。 2.如申请专利范围第1项所述之微机电光学显示元 件,其中该锐角约为15至70。 3.如申请专利范围第1项所述之微机电光学显示元 件,其中该导电层及该介电层为透明。 4.如申请专利范围第1项所述之微机电光学显示元 件,其中该导电层包含氧化锡铟或铬。 5.如申请专利范围第1项所述之微机电光学显示元 件,其中该介电层包含SiOx或SiNx。 6.如申请专利范围第1项所述之微机电光学显示元 件,其中该等支撑柱包含光阻材料。 7.如申请专利范围第1项所述之微机电光学显示元 件,其中该等支撑柱呈倒锥台形。 8.如申请专利范围第1项所述之微机电光学显示元 件,其中该等支撑柱在与该反射层接触的一端各具 有一水平延伸之顶部。 9.如申请专利范围第8项所述之微机电光学显示元 件,其中该顶部系成蕈状。 10.如申请专利范围第9项所述之微机电光学显示元 件,其中该等顶部的厚度介于300至1500。 11.如申请专利范围第8项所述之微机电光学显示元 件,其中该等顶部的厚度介于300至1500。 12.如申请专利范围第1项所述之微机电光学显示元 件,其中该既定间距介于1000至8000。 13.如申请专利范围第1项所述之微机电光学显示元 件,其中该反射层由银、铝、铷化铝、镍或铬所构 成。 14.如申请专利范围第1项所述之微机电光学显示元 件,其中该锐角约为45。 15.一种微机电光学显示元件之制程,包括下列步骤 : 形成一导电层于一基板上; 形成一介电层于该导电层之表面; 形成一牺牲层于该介电层之表面; 图案化该牺牲层以形成复数个插塞孔于该牺牲层 中,其中该等插塞孔侧面与该介电层呈一锐角; 填充一支撑物于该插塞孔内; 形成一反射层于该牺牲层及该支撑柱之表面;以及 移除该牺牲层以形成复数个支撑柱使得该反射层 藉由该等支撑柱相对支撑于该介电层。 16.如申请专利范围第15项所述微机电光学显示元 件之制程,其中该锐角约为15至70。 17.如申请专利范围第15项所述微机电光学显示元 件之制程,其中该导电层包含氧化锡铟或铬。 18.如申请专利范围第15项所述微机电光学显示元 件之制程,其中该介电层包含SiOx或SiNx。 19.如申请专利范围第15项所述微机电光学显示元 件之制程,其中该等支撑柱包含光阻。 20.如申请专利范围第15项所述微机电光学显示元 件之制程,更包括硬化该支撑柱。 21.如申请专利范围第15项所述微机电光学显示元 件之制程,其中该牺牲层的厚度介于1000至8000 。 22.如申请专利范围第15项所述微机电光学显示元 件之制程,其中该牺牲层包含钼、钽、矽或锗。 23.如申请专利范围第15项所述微机电光学显示元 件之制程,其中该反射层包含银、铝、铷化铝、镍 或铬。 24.如申请专利范围第15项所述微机电光学显示元 件之制程,其中该锐角约为45。 图式简单说明: 第1A和1B图系显示习知微机电光学显示元件的结构 示意图; 第2A和2B图系显示支撑柱在制程中,牺牲层移除前 的剖面图; 第3图为本发明微机电光学显示元件的支撑柱之剖 面图;以及 第4A-4C图为本发明微机电光学显示元件的制程示 意图。
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